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MTB013N10RE3-0-UB-X データシート(PDF) 6 Page - Cystech Electonics Corp. |
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MTB013N10RE3-0-UB-X データシート(HTML) 6 Page - Cystech Electonics Corp. |
6 / 8 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C056E3 Issued Date : 2016.11.01 Revised Date : Page No. : 6/ 8 MTB013N10RE3 CYStek Product Specification Typical Characteristics(Cont.) Typical Transfer Characteristics 0 20 40 60 80 100 012 345 VGS, Gate-Source Voltage(V) VDS=10V Single Pulse Maximum Power Dissipation 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width(s) TJ(MAX)=175°C TC=25°C RθJC=2°C/W Transient Thermal Response Curves 0.01 0.1 1 1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 t1, Square Wave Pulse Duration(s) Single Pulse 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 D=0.5 1.RθJC(t)=r(t)*RθJC 2.Duty Factor, D=t1/t2 3.TJM-TC=PDM*RθJC(t) 4.RθJC=2 °C/W |
同様の部品番号 - MTB013N10RE3-0-UB-X |
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同様の説明 - MTB013N10RE3-0-UB-X |
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