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2SD1255 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SD1255 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1255 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA ; IB= 0 130 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3.0A; IB= 0.15A 0.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3.0A; IB= 0.15A 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 150V ; IE= 0 50 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 50 μ A hFE-1 DC Current Gain IC= 0.1A ; VCE= 2V 45 hFE-2 DC Current Gain IC= 1A ; VCE= 2V 90 260 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC=0.5A ; VCE= 10V 30 MHz hFE-2Classifications Q P 90-180 130-260 |
同様の部品番号 - 2SD1255 |
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同様の説明 - 2SD1255 |
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