データシートサーチシステム |
|
MMBT2369 データシート(PDF) 1 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
MMBT2369 データシート(HTML) 1 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
1 / 3 page Production specification NPN General Purpose Amplifier MMBT2369 C114 www.gmicroelec.com Rev.A 1 FEATURES Epitaxial planar die construction. Ultra-small surface mount package. APPLICATIONS Use as a medium power amplifier. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code MMBT2369 M1J SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VEBO Emitter-Base Voltage 4.5 V IC Collector Current -Continuous 200 mA PC Collector Dissipation 300 mW RθJA Thermal resistance,junction to ambient 417 ℃ /W Tj,Tstg Junction and Storage Temperature -55 to +150 ℃ Pb Lead-free |
同様の部品番号 - MMBT2369_13 |
|
同様の説明 - MMBT2369_13 |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |