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STN8205A データシート(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
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STN8205A データシート(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 7 page STN8205A Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 5.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA http://www.stansontech.com STN8205A 2007. V1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA 20 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA 0.6 1.2 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=+/-20V ±100 nA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=20V,VGS=0V 1 uA VDS=20V,VGS=0V TJ=85℃ 5 Drain-source On-Resistance RDS(on) VGS=4.5V,ID=5.0A 0.021 0.27 Ω VGS=2.5V,ID=3.0A 0.024 0.030 Forward Transconductance gfs VDS=5V,ID=3.6A 10 S Diode Forward Voltage VSD IS=1.0A,VGS=0V 0.8 1.0 V Dynamic Total Gate Charge Qg VDS=10V,VGS=4.5V,VDS=4A 10.5 nC Gate-Source Charge Qgs 2.5 Gate-Drain Charge Qgd 2.1 Input Capacitance Ciss VDS=8V,VGS=0V f=1MHz 805 pF Output Capacitance Coss 155 Reverse Transfer Capacitance Crss 122 Turn-On Time Td(on) VDD=10V, RL=10Ω, ID=1.0A, VGEN=4.5V, RG=10Ω 14 nS tr 6 Turn-Off Time Td(off) 45 tf 20 |
同様の部品番号 - STN8205A |
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同様の説明 - STN8205A |
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