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RGTH00TK65 データシート(PDF) 2 Page - Rohm |
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RGTH00TK65 データシート(HTML) 2 Page - Rohm |
2 / 11 page www.rohm.com © 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RGTH00TK65 lThermal Resistance lIGBT Electrical Characteristics (at T j = 25°C unless otherwise specified) Collector - Emitter Saturation Voltage Unit Min. Typ. Max. Thermal Resistance IGBT Junction - Case Rθ(j-c) - - 2.07 °C/W Parameter Symbol Values Parameter Symbol Conditions Values Unit Min. Typ. Max. - - V Collector Cut - off Current ICES VCE = 650V, VGE = 0V - - 10 μA Collector - Emitter Breakdown Voltage BVCES IC = 10μA, VGE = 0V 650 - 200 nA Gate - Emitter Threshold Voltage VGE(th) VCE = 5V, IC = 34.7mA 4.5 5.5 6.5 V Gate - Emitter Leakage Current IGES VGE = 30V, VCE = 0V - VCE(sat) IC = 50A, VGE = 15V V Tj = 25°C - 1.6 2.1 Tj = 175°C - 2.1 - 2/9 2016.01 - Rev.A |
同様の部品番号 - RGTH00TK65 |
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同様の説明 - RGTH00TK65 |
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