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IRF300P227 データシート(PDF) 7 Page - Infineon Technologies AG |
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IRF300P227 データシート(HTML) 7 Page - Infineon Technologies AG |
7 / 17 page Final Datasheet V2.0 2017-11-14 IR MOSFET-StrongIRFET™ IRF300P227 7 Electrical characteristic diagrams Figure 7 Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Figure 8 Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage Figure 9 Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 1 10 100 1000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 1 10 100 1000 10000 100000 1000000 VGS = 0V, f = 1 MHZ Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED Crss = Cgd Coss = Cds + Cgd Coss Crss Ciss 0 1020304050 6070 80 90 QG, Total Gate Charge (nC) 0 2 4 6 8 10 12 14 VDS= 240V VDS= 150V VDS= 60V ID= 30A 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) 0.1 1 10 100 1000 TJ = 25°C TJ = 175°C VGS = 0V |
同様の部品番号 - IRF300P227 |
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同様の説明 - IRF300P227 |
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