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1SS400_17 データシート(Datasheet) 1 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

部品番号. 1SS400_17
部品情報  High speed Switching Diode
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メーカー  BILIN [Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited]
ホームページ  http://www.galaxycn.com
Logo 

   
 1 page
background image
Production specification
High speed Switching Diode
1SS400
H006
www.gmesemi.com
Rev.A
1
FEATURES
Extremely small surface mounting type.
Small package.
High speed and high reliability.
APPLICATIONS
SOD-523
High speed switching.
ORDERING INFORMATION
Type No.
Marking
Package Code
1SS400
A
SOD-523
MAXIMUM RATING @ Ta=25
℃ unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Peak reverse voltage
VRM
90
V
DC Reverse voltage
VR
80
V
Forward output current
Io
100
mA
Surge current(1s)
Isurge
0.5
A
Forward Current
IFM
225
mA
Total power dissipation
Ptot
150
mW
Junction temperature
Tj
150
Storage temperature
Tstg
-55 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25
℃ unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward voltage
VF
1.2
V
IF=100mA
Reverse current
IR
0.1
μA
VR=80V
Diode capacitance
Cd
0.72
3.0
pF
VR=0.5V,f=1MHz
Reverse recovery time
trr
4
ns
VR=6V,IF=10mA,RL=100
Pb
Lead-free




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