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ISCB18101 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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ISCB18101 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor ISCB18101 · ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 1mA 900 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID=100µA 3 4.5 V VSD Diode Forward On-Voltage IS=5.8A ;VGS= 0 1.6 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID=2.9A 2 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±20V;VDS= 0 ± 10 µA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 900V; VGS= 0 1 µA VDS= 900V; VGS= 0;Tc=125℃ 50 |
同様の部品番号 - ISCB18101 |
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同様の説明 - ISCB18101 |
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