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SUD50N02-09P データシート(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SUD50N02-09P データシート(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 4 page SUD50N02-09P Vishay Siliconix Document Number: 72034 S-41168—Rev. C, 14-Jun-04 www.vishay.com 3 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) 0.000 0.005 0.010 0.015 0.020 0.025 0.030 0 20406080 100 0 2 4 6 8 10 04 8 12 16 20 0 10 20 30 40 50 60 0 10203040 50 0 400 800 1200 1600 2000 04 8 12 16 20 Capacitance Gate Charge Transconductance On-Resistance vs. Drain Current Qg − Total Gate Charge (nC) ID − Drain Current (A) VDS − Drain-to-Source Voltage (V) VDS = 10 V ID = 50 A VGS = 10 V VGS = 4.5 V Crss TC = −55_C 25_C 125_C Ciss ID − Drain Current (A) Coss 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150 175 On-Resistance vs. Junction Temperature Source-Drain Diode Forward Voltage TJ − Junction Temperature (_C) VSD − Source-to-Drain Voltage (V) 100 1 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 VGS = 10 V ID = 30 A TJ = 25_C TJ = 150_C 0 10 |
同様の部品番号 - SUD50N02-09P |
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同様の説明 - SUD50N02-09P |
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