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SI3983DV-T1-E3 データシート(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI3983DV-T1-E3 データシート(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 5 page Si3983DV Vishay Siliconix New Product Document Number: 72316 S-40575—Rev. C, 29-Mar-04 www.vishay.com 3 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) 0.00 0.15 0.30 0.45 0.60 0.75 0 123 4567 8 0 130 260 390 520 650 0 4 8 12 16 20 On-Resistance vs. Drain Current VDS − Drain-to-Source Voltage (V) ID − Drain Current (A) Capacitance VGS = 1.8 V VGS = 4.5 V Coss Ciss VGS = 2.5 V Crss 0.0 1.3 2.6 3.9 5.2 6.5 0123456 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150 Gate Charge Qg − Total Gate Charge (nC) On-Resistance vs. Junction Temperature VGS = 4.5 V ID = 2.5 A TJ − Junction Temperature (_C) VDS = 10 V ID = 2.5 A 1.2 1.5 0.1 1 10 0.00 0.3 0.6 0.9 TJ = 25_C TJ = 150_C Source-Drain Diode Forward Voltage VSD − Source-to-Drain Voltage (V) 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 012345 VGS − Gate-to-Source Voltage (V) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage ID = 2.5 A |
同様の部品番号 - SI3983DV-T1-E3 |
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同様の説明 - SI3983DV-T1-E3 |
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