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SI7923DN-T1-E3 データシート(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI7923DN-T1-E3 データシート(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 5 page Si7923DN Vishay Siliconix New Product Document Number: 72622 S-51129—Rev. B, 13-Jun-05 www.vishay.com 3 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) VSD − Source-to-Drain Voltage (V) 0.00 0.03 0.06 0.09 0.12 0 2468 10 VGS − Gate-to-Source Voltage (V) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 04 8 12 16 20 0 2 4 6 8 10 0 3 6 9 12 15 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150 0 200 400 600 800 1000 1200 0 5 10 15 20 25 30 Crss Coss Ciss VDS = 10 V ID = 6.4 A VGS = 4.5 V ID = 6.4 A VGS = 10 V Gate Charge On-Resistance vs. Drain Current Qg − Total Gate Charge (nC) VDS − Drain-to-Source Voltage (V) ID − Drain Current (A) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature TJ − Junction Temperature (_C) TJ = 150_C TJ = 25_C ID = 6.4 A 20 10 1 Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage VGS = 4.5 V |
同様の部品番号 - SI7923DN-T1-E3 |
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同様の説明 - SI7923DN-T1-E3 |
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