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HM8840Q データシート(PDF) 1 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

部品番号. HM8840Q
部品情報  Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
ダウンロード  7 Pages
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メーカー  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
ホームページ  http://www.hmsemi.com/
Logo 

HM8840Q Datasheet(HTML) 1 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

   
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1.
 
 
 
 
HM8840Q
Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
 
 
General Description
Thigh Density Cell Design For Ultra Low
On-Resistance Fully Characterized Avalanche
Voltage and Current Improved Shoot-Through
FOM
Simple Drive Requirement
 
Small Package Outline
 
Surface Mount Device
 
Features
For a single MOSFET
VDS = 20V
RDS(ON) = 8.5mΩ @ VGS=4.5V
Pin configurations
See Diagram below
TSSOP-8
DFN5X2
DFN3X3
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Rating
Units
Drain-Source Voltage
VDS
20
V
Gate-Source Voltage
VGS
±
12
V
 
Drain Current
Continuous
ID
10
 
A
Pulsed
85
Total Power Dissipation
@TA=25℃
PD
1.7
W
Operating Junction Temperature Range
TJ
-55 to 150
HM


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