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HM8840Q データシート(PDF) 2 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

部品番号. HM8840Q
部品情報  Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
ダウンロード  7 Pages
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メーカー  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
ホームページ  http://www.hmsemi.com/
Logo 

HM8840Q Datasheet(HTML) 2 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

   
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 2 / 7 page
background image
2.
 
 
 
Electrical Characteristics
(TJ=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage
ID=250μA, VGS=0 V
20
  
V
IDSS
Drain to Source Leakage Current
VDS= 16V, VGS=0V
  
1
μA
IGSS
Gate-Body Leakage Current
VGS=10V
  
10
μA
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS= VGS, ID=250μA
0.3
0.65
1
V
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
VGS=4.5V, ID=10A
 
8.5
9.5
mΩ
 
 
DYNAMIC PARAMETERS
Ciss
Input Capacitance
VGS=0V, VDS=10V,
f=1MHz
1000
1255
1510
pF
Coss
Output Capacitance
150
220
290
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
100
168
235
pF
 
 
SWITCHING PARAMETERS
Qg
Total Gate Charge
VGS=4.5V, VDS=10V,
ID=10A
10
12.5
15
nC
Qgs
Gate Source Charge
 
5.5
 
nC
Qgd
Gate Drain Charge
 
6.5
 
nC
td(on)
Turn-On Delay Time
VGEN=4.5V, VDD=10V,
RGEN=3Ω
 
1.1
 
ns
td(off)
Turn-Off Delay Time
 
7
 
ns
td(r)
Turn-On Rise Time
 
2.6
 
ns
td(f)
Turn-Off Fall Time
 
7.4
 
ns
 
 
Thermal Resistance
Symbol
Parameter
Typ
Max
Units
RθJC
Thermal Resistance Junction to Case(t≤10s)
30
40
/W
HM


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