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WSD2068 データシート(PDF) 4 Page - Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd |
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WSD2068 データシート(HTML) 4 Page - Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd |
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4 / 6 page  WSD2068 Page 4 www.winsok.tw Dec.2014 Typical Characteristics Dual N-Ch MOSFET 7. Gate Charge 9. Safe Operating Area 10. Single Pulse Maximum Power Dissipation 8. Normalized On-Resistance Vs Junction Temperature 11. Normalized Thermal Transient Junction to Ambient 0 2 4 6 8 10 0 10 20 30 40 Qg - Total Gate Charge (nC) 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 1000 VDS Drain to Source Voltage (V) 10 uS 100 uS 1 mS 10 mS 100 mS 1 SEC 10 SEC 100 SEC DC Idm limit Limited by RDS 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 t1 TIME (SEC) 0.001 0.01 0.1 1 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 t1 TIME (sec) D = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 Single Pulse RθJA(t) = r(t) + RθJA TJ - TA = P * RθJA(t) Duty Cycle, D = t1 / t2 0.5 1 1.5 2 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TJ -JunctionTemperature(°C) P(pk) t1 t2 RθJA = 120 C /W VDS = 10V ID = 5A |
同様の部品番号 - WSD2068 |
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同様の説明 - WSD2068 |
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