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KM23V8105D データシート(PDF) 4 Page - Samsung semiconductor |
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KM23V8105D データシート(HTML) 4 Page - Samsung semiconductor |
4 / 5 page KM23V8105D(G) CMOS MASK ROM TIMING DIAGRAM READ ADD CE OE DOUT A0~A18 A-1(*1) D0~D7 D8~D15(*2) PAGE READ ADD1 ADD2 VALID DATA VALID DATA tOH tDF(*3) OE ADD DOUT CE ADD A0,A1 A2~A18 1 st 2 nd 3 rd tDF(*3) tRC tACE tOE tAA NOTES : *1. Byte Mode only. A-1 is Least Significant Bit Address.(BHE = VIL) *2. Word Mode only.(BHE = VIH) *3. tDF is defined as the time at which the outputs achieve the open circuit condition and is not referenced to V OH or VOL level. tAA VALID DATA VALID DATA VALID DATA tPA VALID DATA A-1(*1) D0~D7 D8~D15(*2) |
同様の部品番号 - KM23V8105D |
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同様の説明 - KM23V8105D |
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