データシートサーチシステム
Selected language   Japanese  ▼

Delete All
ON OFF
ALLDATASHEET.JP

X  

Preview PDF Download HTML

PM503BA データシート(PDF) 2 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

部品番号. PM503BA
部品情報  P-Channel Enhancement Mode MOSFET
ダウンロード  8 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100% Zoom Out
メーカー  UNIKC [Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD]
ホームページ  http://www.unikc.com.cn/
Logo UNIKC - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

PM503BA Datasheet(HTML) 2 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

  PM503BA データシート HTML 1Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PM503BA データシート HTML 2Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PM503BA データシート HTML 3Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PM503BA データシート HTML 4Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PM503BA データシート HTML 5Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PM503BA データシート HTML 6Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PM503BA データシート HTML 7Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PM503BA データシート HTML 8Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 8 page
background image
PM503BA
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
MIN
TYP
MAX
-30
-0.4
-0.95
-1.4
±100
nA
-1
-10
91
115
106
150
153
220
6
S
258
35
25
6.5
Gate-Source Charge
2
0.5
Gate-Drain Charge
2
1.2
14
37
43
34
-0.6
A
-1.1
V
9.8
nS
2.5
nC
1Pulse test : Pulse Width
 300 msec, Duty Cycle  2%.
2Independent of operating temperature.
Drain-Source On-State
Resistance
1
RDS(ON)
VGS = -2.5V, ID = -1.5A
VDS= -15V,VGS= -10V,ID= -2A
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
VDS = -24V, VGS = 0V
VDS = -5V, ID = -2A
Total Gate Charge
2
VDS = 0V, VGS = ±12V
Coss
nC
V
STATIC
UNITS
Gate Threshold Voltage
IGSS
DYNAMIC
Crss
VGS = 0V, ID = -250mA
gfs
VGS = -4.5V, ID = -1.5A
LIMITS
VDS = VGS, ID = -250mA
PARAMETER
Forward Transconductance
1
Ciss
V(BR)DSS
VGS(th)
SYMBOL
Drain-Source Breakdown Voltage
TEST CONDITIONS
VDD = -15V, VGS= -10V
ID @ -2A, RG = 6Ω
VGS = 0V, VDS = -15V, f = 1MHz
nS
Turn-On Delay Time
2
Rise Time
2
Input Capacitance
Turn-Off Delay Time
2
tf
Output Capacitance
trr
Reverse Transfer Capacitance
Qg
Qgs
Qgd
Forward Voltage
1
IS
tr
td(on)
VSD
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICE ( TJ = 25 °C )
Fall Time
2
Reverse Recovery Time
td(off)
IF = -2A, dIF/dt = 100A / mS
IF = -2A, VGS = 0V
Continuous Current
Reverse Recovery Charge
Qrr
VGS = -10V, ID = -2A
VDS = -20V, VGS = 0V , TJ = 55 °C
mA
IDSS
pF
REV 1.0
2
2017/1/10


Html ページ

1  2  3  4  5  6  7  8 


Datasheet Download

Go To PDF Page


リンク URL



Privacy Policy
ALLDATASHEET.JP
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか?  [ DONATE ] 

Alldatasheetは   |   広告   |   お問い合わせ   |   プライバシーポリシー   |   ブックマーク
   |   リンク交換   |   メーカーリスト
All Rights Reserved© Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn