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PKE10BB データシート(PDF) 1 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

部品番号. PKE10BB
部品情報  N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ダウンロード  9 Pages
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メーカー  UNIKC [Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD]
ホームページ  http://www.unikc.com.cn/
Logo UNIKC - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

PKE10BB Datasheet(HTML) 1 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

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PKE10BB
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
100% UIS Tested
100% Rg Tested
PDFN 5X6P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
THERMAL RESISTANCE RATINGS
UNITS
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2The value of RθJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.
3The Power dissipation is based on Rq
JA t ≦10s value.
4The maximum current rating is package limited.
50
ID
Avalanche Current
EAS
MAXIMUM
37
TA= 70 °C
29.8
Power Dissipation
3
TA = 25 °C
6.25
mJ
25
RqJA
PD
W
Steady-State
Junction-to-Case
4
Junction-to-Ambient
2
t ≦10s
Junction-to-Ambient
2
30V
Continuous Drain Current
4
TC = 100 °C
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
THERMAL RESISTANCE
TC = 100 °C
Power Dissipation
IDM
RDS(ON)
Drain-Source Voltage
2.5mΩ @V
GS = 10V
117A
ID
TC = 25 °C
TA = 70 °C
Avalanche Energy
L =0.1mH
UNITS
200
74
TYPICAL
VDS
30
V
ID
LIMITS
68
IAS
37
RqJC
TC = 25 °C
Steady-State
RqJA
SYMBOL
Operating Junction & Storage Temperature Range
SYMBOL
A
V
2
°C / W
62.5
117
±20
20
Pulsed Drain Current
1
W
VGS
Gate-Source Voltage
°C
-55 to 150
TJ, Tstg
PD
Continuous Drain Current
TA = 25 °C
REV 1.0
1
2017/12/11


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