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PKE10BB データシート(PDF) 2 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

部品番号. PKE10BB
部品情報  N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ダウンロード  9 Pages
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メーカー  UNIKC [Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD]
ホームページ  http://www.unikc.com.cn/
Logo UNIKC - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

PKE10BB Datasheet(HTML) 2 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

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PKE10BB
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
MIN
TYP
MAX
30
1.3
1.8
2.3
±100
nA
1
10
2.9
3.7
1.8
2.5
95
S
2237
1092
56
0.87
Ω
VGS =10V
40.5
VGS =4.5V
20.5
6.3
9
17
102
53
115
62.5
A
1
V
43
nS
41.9
nC
1Pulse test : Pulse Width
 300 msec, Duty Cycle  2%.
2Independent of operating temperature.
3The maximum current rating is package limited.
Gate-Body Leakage
VGS(th)
LIMITS
Qgd
Crss
Input Capacitance
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz
VDS = 15V,
VGS = 10V, ID = 20A
Gate-Drain Charge
2
Gate-Source Charge
2
Reverse Transfer Capacitance
Qg
Total Gate Charge
2
PARAMETER
Output Capacitance
Drain-Source Breakdown
Voltage
VGS = 10V , ID = 20A
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 55 °C
Ciss
VGS = 0V, ID = 250mA
Rg
VGS = 4.5V, ID = 16A
IGSS
VDS = VGS, ID = 250mA
Rise Time
2
Turn-Off Delay Time
2
Fall Time
2
Gate Threshold Voltage
Drain-Source On-State
Resistance
1
Zero Gate Voltage Drain
Current
Gate Resistance
IF = 20A, VGS = 0V
nS
VDS = 15V,
ID @ 20A, VGS = 10V, RGEN = 6Ω
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C)
td(on)
tr
td(off)
tf
Turn-On Delay Time
2
Qrr
Reverse Recovery Charge
Continuous Current
3
Forward Voltage
1
Reverse Recovery Time
IS
VSD
trr
VGS = 0V, VDS = 0V, f = 1MHz
Qgs
mA
DYNAMIC
VDS = 24V, VGS = 0V
pF
IDSS
Forward Transconductance
1
VDS = 5V, ID = 20A
Coss
VDS = 0V, VGS = ±20V
gfs
IF = 20A, dlF/dt = 100A / mS
RDS(ON)
SYMBOL
V(BR)DSS
TEST CONDITIONS
STATIC
nC
V
UNITS
REV 1.0
2
2017/12/11


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