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PKC50DY データシート(PDF) 3 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

部品番号. PKC50DY
部品情報  Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ダウンロード  11 Pages
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メーカー  UNIKC [Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD]
ホームページ  http://www.unikc.com.cn/
Logo UNIKC - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

PKC50DY Datasheet(HTML) 3 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

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background image
PKC50DY
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Q2
3614
Q1
530
Q2
671
Q1
147
Q2
484
Q1
70
Q2
1
Q1
1.2
Q2
76.2
Q1
10.1
Q2
40.1
Q1
5.7
Q2
10.2
Q1
1.7
Q2
19.1
Q1
3.2
Q2
23
Q1
13
Q2
138
Q1
68
Q2
109
Q1
24
Q2
172
Q1
7
Q2
48
Q1
25
Q2
1
Q1
1.2
Q2
32
Q1
14
Q2
17
Q1
3
1Pulse test : Pulse Width
 300 msec, Duty Cycle  2%.
2Independent of operating temperature.
3The maximum current rating is package limited.
Reverse Recovery Charge
Qrr
Q2
IF = 20A, dlF/dt = 100A /ms
Q1
IF = 10A, dlF/dt = 100A /mS
nS
nC
Forward Voltage
1
VSD
IF = 20A, VGS = 0V
IF = 10A, VGS = 0V
V
Reverse Recovery Time
trr
tr
Turn-Off Delay Time
2
td(off)
Fall Time
2
tf
Continuous Current
3
IS
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C)
A
Qgs
Gate-Drain Charge
2
Qgd
Q2
VDS = 15V , ID = 20A
Q1
VDS = 15V , ID = 10A
nC
Turn-On Delay Time
2
td(on)
Q2
VDS = 15V,ID @ 20A,
VGS=10V, RGEN= 6Ω
Q1
VDS = 15V ,ID @ 10A,
VGS = 10V, RGEN =6Ω
nS
Rise Time
2
pF
Gate Resistance
Rg
VGS = 0V,
VDS = 0V, f = 1MHz
Ω
VGS=10V
Total Gate Charge
2
Qg
VGS=4.5V
Ciss
Output Capacitance
Coss
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VGS = 0V,
VDS = 15V, f = 1MHz
Input Capacitance
DYNAMIC
DYNAMIC
Gate-Source Charge
2
REV 1.0
3
2017/1/3


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