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PK630HY データシート(PDF) 1 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

部品番号. PK630HY
部品情報  Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ダウンロード  11 Pages
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メーカー  UNIKC [Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD]
ホームページ  http://www.unikc.com.cn/
Logo UNIKC - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

PK630HY Datasheet(HTML) 1 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

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PK630HY
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
CH.
30V
Q2
30V
Q1
PDFN 5*6P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
CH.
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Power Dissipation
150
64
±20
PD
W
37
61
35
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
4.9mΩ @V
GS = 10V
7.8mΩ @V
GS = 10V
mJ
ID
30
LIMITS
Continuous Drain Current
UNITS
UNITS
ID
RDS(ON)
22
17
TA = 25 °C
IAS
64A
40
Avalanche Energy
21
14
15
L = 0.1mH
EAS
TC = 25 °C
TA = 70 °C
21
15
40A
SYMBOL
Drain-Source Voltage
30
Pulsed Drain Current
1
90
VDS
ID
IDM
±20
14
11
TC = 100 °C
Continuous Drain Current
3
25
A
24
Gate-Source Voltage
V
Avalanche Current
VGS
TC = 100 °C
TC = 25 °C
40
9.6
REV 1.0
1
2017/1/3


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