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PK630HY データシート(PDF) 3 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

部品番号. PK630HY
部品情報  Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ダウンロード  11 Pages
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メーカー  UNIKC [Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD]
ホームページ  http://www.unikc.com.cn/
Logo UNIKC - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

PK630HY Datasheet(HTML) 3 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

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background image
PK630HY
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Q2
2148
Q1
853
Q2
402
Q1
149
Q2
255
Q1
109
Q2
1.6
Q1
0.8
Q2
44
Q1
18
Q2
10.7
Q1
10
Q2
5.4
Q1
2.1
Q2
11
Q1
4.8
Q2
30
Q1
25
Q2
20
Q1
21
Q2
61
Q1
40
Q2
22
Q1
20
Q2
37
Q1
20
Q2
1
Q1
1.2
Q2
21
Q1
13.5
Q2
6.5
Q1
4
1Pulse test : Pulse Width
 300 msec, Duty Cycle  2%.
2Independent of operating temperature.
3Package limitation current :Q1=25A,Q2=25A.
Reverse Recovery Charge
Qrr
Q2
IF = 20A, dlF/dt = 100A /ms
Q1
IF = 11A, dlF/dt = 100A /mS
nS
nC
Forward Voltage
1
VSD
IF = 20A, VGS = 0V
IF = 11A, VGS = 0V
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C)
IS
Turn-On Delay Time
2
td(on)
Q2
VDS = 15V,ID @ 20A,
VGS=10V, RGEN= 6Ω
Q1
VDS = 15V ,ID @ 11A,
VGS = 10V, RGEN =6Ω
nS
V
Reverse Recovery Time
trr
tr
Turn-Off Delay Time
2
td(off)
Fall Time
2
tf
Continuous Current
3
VGS=10V
Total Gate Charge
2
Qg
VGS=4.5V
A
Qgs
Gate-Drain Charge
2
Qgd
Q2
VDS = 15V , VGS = 10V,
ID = 20A
Q1
VDS = 15V , VGS = 10V,
ID = 11A
nC
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VGS = 0V,
VDS = 15V, f = 1MHz
Input Capacitance
Rise Time
2
pF
Gate Resistance
Rg
VGS = 0V,
VDS = 0V, f = 1MHz
Ω
Ciss
Output Capacitance
Coss
DYNAMIC
DYNAMIC
Gate-Source Charge
2
REV 1.0
3
2017/1/3


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