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PK626HY データシート(PDF) 1 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD |
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PK626HY データシート(HTML) 1 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD |
1 / 11 page PK626HY Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS CH. 30V Q2 30V Q1 PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) CH. Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 Q1 99A 63 PARAMETERS/TEST CONDITIONS 2.4mΩ @V GS = 10V 7mΩ @V GS = 10V 43 Power Dissipation 48 17 17 L = 0.1mH EAS UNITS UNITS 120 99 ±20 mJ PD W 115 55 11 ID IAS TC = 100 °C 24 9.6 TC = 25 °C ID 25 20 9.5 11 ID RDS(ON) 30 LIMITS 30 43A SYMBOL Drain-Source Voltage Pulsed Drain Current 1 VDS VGS TC = 100 °C TA = 70 °C Avalanche Energy TC = 25 °C 43 TA = 25 °C Continuous Drain Current 23 26.4 Continuous Drain Current 3 27 A Gate-Source Voltage V Avalanche Current IDM ±20 REV 1.0 1 2017/1/5 |
同様の部品番号 - PK626HY |
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同様の説明 - PK626HY |
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