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PK626HY データシート(PDF) 2 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

部品番号. PK626HY
部品情報  Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ダウンロード  11 Pages
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メーカー  UNIKC [Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD]
ホームページ  http://www.unikc.com.cn/
Logo UNIKC - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

PK626HY Datasheet(HTML) 2 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

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background image
PK626HY
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Q2
Q1
Q2
Q1
THERMAL RESISTANCE RATINGS
CH. TYPICA
L
UNITS
Q2
Q1
Q2
Q1
1Pulse width limited by maximum junction temperature T
J(MAX)=150°
C.
2The value of Rq
JA is measured with the device mounted on 1in
2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.The value in any given application depends on the user's specific board design.
3Package limitation current :Q1=29A,Q2=34A.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
MIN
TYP
MAX
Q2
30
Q1
30
Q2
1.3
1.75
2.3
Q1
1.3
1.75
2.3
Q2
±100
Q1
±100
Q2
0.5
mA
Q1
1
mA
Q2
5
mA
Q1
10
mA
Q2
2.3
3
Q1
7.4
9.5
Q2
1.9
2.4
Q1
5.6
7
Q2
70
Q1
50
VGS = 0V, ID = 1mA
VGS = 0V, ID = 250mA
VGS = 4.5V, ID = 11A
VGS = 10V, ID = 20A
UNITS
V
nA
Forward Transconductance
1
gfs
VDS = 5V, ID = 20A
VDS = 5V, ID = 11A
S
SYMBOL
THERMAL RESISTANCE
Operating Junction & Storage Temperature Range
PD
MAXIMUM
°C
1.7
2.7
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 24V, VGS = 0V
VDS = 20V,
VGS = 0V , TJ = 55 °C
RqJA
RqJC
TEST CONDITIONS
VGS(th)
TEST CONDITIONS
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
1.7
-55 to 150
TA = 70 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
W
TJ, TSTG
1.1
70
5.2
STATIC
LIMITS
CH.
°C / W
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
2
VDS = 0V, VGS = ±20V
VGS = 4.5V, ID = 15A
46
2.9
PARAMETER
SYMBOL
VGS = 10V, ID = 11A
Drain-Source On-State
Resistance
1
RDS(ON)
VDS = VGS, ID = 250mA
Drain-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
IGSS
REV 1.0
2
2017/1/5


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