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PK626HY データシート(PDF) 3 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

部品番号. PK626HY
部品情報  Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ダウンロード  11 Pages
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メーカー  UNIKC [Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD]
ホームページ  http://www.unikc.com.cn/
Logo UNIKC - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

PK626HY Datasheet(HTML) 3 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

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background image
PK626HY
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Q2
3232
Q1
824
Q2
606
Q1
162
Q2
353
Q1
103
Q2
1.25
Q1
2.3
Q2
63
Q1
18
Q2
34
Q1
10
Q2
8.3
Q1
2
Q2
15.5
Q1
6
Q2
31
Q1
27
Q2
15
Q1
20
Q2
64
Q1
40
Q2
22
Q1
19
Q2
71
Q1
20
Q2
0.6
Q1
1.2
Q2
28.8
Q1
16.5
Q2
12.7
Q1
5.2
1Pulse test : Pulse Width
 300 msec, Duty Cycle  2%.
2Independent of operating temperature.
3Package limitation current :Q1=29A,Q2=34A.
Reverse Recovery Charge
Qrr
Q2
IF = 20A, dlF/dt = 100A /ms
Q1
IF = 11A, dlF/dt = 100A /mS
nS
nC
Forward Voltage
1
VSD
IF = 1A, VGS = 0V
IF = 11A, VGS = 0V
V
Reverse Recovery Time
trr
tr
Turn-Off Delay Time
2
td(off)
Fall Time
2
tf
Continuous Current
3
IS
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C)
A
Qgs
Gate-Drain Charge
2
Qgd
Q2
VDS = 15V ,
VGS = 10V,ID = 20A
Q1
VDS = 15V ,
VGS = 10V,ID = 11A
nC
Turn-On Delay Time
2
td(on)
Q2
VDS = 15V, ID @ 20A,
VGS=10V, RGEN= 6Ω
Q1
VDS = 15V , ID @ 11A,
VGS = 10V, RGEN =6Ω
nS
Rise Time
2
pF
Gate Resistance
Rg
VGS = 0V,
VDS = 0V, f = 1MHz
Ω
VGS=10V
Total Gate Charge
2
Qg
VGS=4.5V
Ciss
Output Capacitance
Coss
Reverse Transfer Capacitance
Crss
Input Capacitance
VGS = 0V,
VDS = 15V, f = 1MHz
DYNAMIC
DYNAMIC
Gate-Source Charge
2
REV 1.0
3
2017/1/5


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