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AOD2810 データシート(PDF) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

部品番号. AOD2810
部品情報  N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
ダウンロード  9 Pages
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メーカー  VBSEMI [VBsemi Electronics Co.,Ltd]
ホームページ  www.VBsemi.cn
Logo VBSEMI - VBsemi Electronics Co.,Ltd

AOD2810 Datasheet(HTML) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

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background image
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Threshold Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD - Source-to-Drain Voltage (V)
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
- 1.0
- 0.7
- 0.4
- 0.1
0.2
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J - Temperature (°C)
I
D = 250 μA
I
D = 5 mA
0.000
0.010
0.020
0.030
0.040
0.050
0
2
4
6
8
10
V
GS - Gate-to-Source Voltage (V)
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
I
D = 20 A
0
100
200
300
400
500
0.001
0.01
0.1
1
10
Time (s)
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
V
DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V
GS > minimum VGS at which RDS(on) is specified
100 ms
Limited by R
DS(on)*
1 ms
I
DM Limited
T
A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
10 ms
10 s
1 s
DC
I
D Limited
100 μs
www.VBsemi.tw
E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052
AOD2810
4


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