2SA1127 datasheet(1/2 Pages) PANASONIC

部品番号	2SA1127

部品情報	Silicon PNP epitaxial planer type

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メーカー	PANASONIC [Panasonic Semiconductor]

ホームページ	http://www.panasonic.com/industrial/

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1

Transistor

2SA1127

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency and low-noise amplification

Complementary to 2SC2634

s Features

q

Low noise characteristics.

q

High foward current transfer ratio hFE.

s Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

Unit: mm

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1:Emitter

2:Collector

3:Base

JEDEC:TO–92

EIAJ:SC–43A

5.0

±0.2

4.0

±0.2

0.45

+0.2

–0.1

0.45

+0.2

–0.1

1.27

2.54

±0.15

2

13

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

IC

PC

Tj

Tstg

Ratings

–60

–55

–7

–200

–100

400

150

–55 ~ +150

Unit

V

mA

mW

˚C

s Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

Parameter

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter voltage

Transition frequency

Noise voltage

Symbol

ICBO

ICEO

VCBO

VCEO

VEBO

hFE

*

VCE(sat)

VBE

fT

NV

Conditions

VCB = –10V, IE = 0

VCE = –10V, IB = 0

IC = –10µA, IE = 0

IC = –1mA, IB = 0

IE = –10µA, IC = 0

VCE = –5V, IC = –2mA

IC = –100mA, IB = –10mA

VCE = –1V, IC = –30mA

VCB = –5V, IE = 2mA, f = 200MHz

VCE = –10V, IC = –1mA, GV = 80dB

Rg = 100kΩ, Function = FLAT

min

–60

–55

–7

180

typ

–1

– 0.01

200

max

–100

–1

700

– 0.6

–1

150

Unit

nA

µA

V

MHz

mV

*h

FE Rank classification

Rank

R

S

T

hFE

180 ~ 360

260 ~ 520

360 ~ 700

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Panasonic Semiconductor	2SA1127	38Kb / 2P	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification)

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