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NTD4960N-35G データシート(PDF) 3 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

部品番号. NTD4960N-35G
部品情報  N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
ダウンロード  8 Pages
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メーカー  VBSEMI [VBsemi Electronics Co.,Ltd]
ホームページ  www.VBsemi.cn
Logo VBSEMI - VBsemi Electronics Co.,Ltd

NTD4960N-35G Datasheet(HTML) 3 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

  NTD4960N-35G データシート HTML 1Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd NTD4960N-35G データシート HTML 2Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd NTD4960N-35G データシート HTML 3Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd NTD4960N-35G データシート HTML 4Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd NTD4960N-35G データシート HTML 5Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd NTD4960N-35G データシート HTML 6Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd NTD4960N-35G データシート HTML 7Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd NTD4960N-35G データシート HTML 8Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd  
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background image
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
Output Characteristics
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
Gate Charge
0
10
20
30
40
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
VGS =10thru 5 V
VGS =3 V
VGS =4 V
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0
10203040
50
ID - Drain Current (A)
VGS =10 V
VGS =4.5 V
0
2
4
6
8
10
0.0
3.2
6.4
9.6
12.8
16.0
Qg - Total Gate Charge (nC)
VDS =15 V
VDS =10 V
ID =10A
VDS =20 V
Transfer Characteristics
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
0
2
4
6
8
02
4
6
8
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
TC = 25 °C
TC = 125 °C
TC = - 55 °C
Crss
0
250
500
750
1000
1250
0
5
10
15
20
25
30
Ciss
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
Coss
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
TJ -Junction Temperature (°C)
VGS =4.5 V
VGS =10 V
ID =10A
10
E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052
www.VBsemi.tw
NTD4960N-35G
3


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