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AOD5N50 データシート(PDF) 1 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

部品番号. AOD5N50
部品情報  N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
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メーカー  DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]
ホームページ  http://www.doingter.cn/
Logo DOINGTER - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

AOD5N50 Datasheet(HTML) 1 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

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1
Description:
This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.
It can be used in a wide variety of applications.
Features:
1) VDS=500V,ID=4A,RDS(ON)<1.4Ω@VGS=10V
2) Low gate charge.
3) Green device available.
4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).
5) Excellent package for good heat dissipation.
Absolute Maximum Ratings:(T
C=25unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Ratings
Units
VDS
Drain-Source Voltage
500
V
VGS
Gate-Source Voltage
±30
V
ID
Continuous Drain Current-TC=25℃
4
A
Continuous Drain Current-TC=100℃
2.4
Pulsed Drain Current
1
16
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
1
300
mJ
PD
Power Dissipation,
TC=25℃
2.5
W
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
Thermal Characteristics:
Symbol
Parameter
Max
Units
RƟJC
Thermal Resistance,Junction to Case
2.6
℃/W
RƟJA
Thermal Resistance,Junction to Ambient
50*
D
S
G
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
AOD5N50


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