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AOD5T40P データシート(PDF) 1 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

部品番号. AOD5T40P
部品情報  N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
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メーカー  DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]
ホームページ  http://www.doingter.cn/
Logo DOINGTER - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

AOD5T40P Datasheet(HTML) 1 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

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1
Description:
This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.
It can be used in a wide variety of applications.
Features:
1) VDS=400V,ID=6A,RDS(ON)<1000mΩ@VGS=10V
2) Low gate charge.
3) Green device available.
4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).
5) Excellent package for good heat dissipation.
Absolute Maximum Ratings:(T
C=25unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Ratings
Units
VDS
Drain-Source Voltage
400
V
VGS
Gate-Source Voltage
±30
V
ID
Continuous Drain Current-TC=25℃
1
6
A
Continuous Drain Current-TC=100℃
1
3.6
Pulsed Drain Current
2
---
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
3
270
mJ
PD
Power Dissipation,
TC=25℃
4
48
W
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
Thermal Characteristics:
Symbol
Parameter
Max
Units
RƟJC
Thermal Resistance,Junction to Case
1
1.71
℃/W
RƟJA
Thermal Resistance,Junction to Ambient
1
62.5
D
S
G
AOD5T40P


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