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P4410LVG データシート(PDF) 1 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

部品番号. P4410LVG
部品情報  N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
ダウンロード  8 Pages
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メーカー  VBSEMI [VBsemi Electronics Co.,Ltd]
ホームページ  www.VBsemi.cn
Logo VBSEMI - VBsemi Electronics Co.,Ltd

P4410LVG Datasheet(HTML) 1 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
FEATURES
TrenchFET® Power MOSFET
•100 % Rg and UIS Tested
Material categorization:
For definitions of compliance please see
APPLICATIONS
DC/DC Converters
DC/AC Inverters
Motor Drives
Notes:
a. Duty cycle
 1 %.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
d. Base on TC = 25 °C.
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
RDS(on) () Max.
ID (A)
Qg (Typ.)
60
0.073 at VGS = 10 V
18.2
19.8
0.085 at VGS= 4.5 V
13.2
TO-252
S
G
D
Drain Connected to Tab
N-Channel MOSFET
G
D
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
60
V
Gate-Source Voltage
VGS
± 20
Continuous Drain Current
TC = 25 °C
ID
16.9
A
TC = 70 °C
13.6
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)
IDM
25
Avalanche Current
IAS
15
Single Avalanche Energya
L = 0.1 mH
EAS
11.25
mJ
Maximum Power Dissipationa
TC = 25 °C
PD
41.7b
W
TA = 25 °C
c
2.1
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient (PCB Mount)c
RthJA
60
°C/W
Junction-to-Case (Drain)
RthJC
3
E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052
www.VBsemi.tw
P4410LVG
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