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FTK0404PSOT883 データシート(PDF) 2 Page - First Silicon Co., Ltd

部品番号. FTK0404PSOT883
部品情報  20V, P-Channel (D-S) MOSFET
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メーカー  FS [First Silicon Co., Ltd]
ホームページ  http://www.firstsilicon.co.kr/
Logo FS - First Silicon Co., Ltd

FTK0404PSOT883 Datasheet(HTML) 2 Page - First Silicon Co., Ltd

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5. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25ºC)
Drain-Source Breakdown Voltage
(VGS = 0V, ID =-250uA)
Gate Threshold Voltage
(VDS =VGS , ID =-250μA )
Gate Leakage Current
(VDS =0V, VGS =±4.5V )
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS =-16V, VGS =0V )
Drain-Source On-Resistance
(VGS=-4.5V,ID=-780mA)
Drain-Source On-Resistance
(VGS=-2.5V,ID=-660mA)
Drain-Source On-Resistance
(VGS=-1.8V,ID=-100mA)
Drain-Source On-Resistance
(VGS=-1.5V,ID=-100mA)
Diode Forward Voltage
(IS =-350mA, VGS =0V)
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Note 2: Pulse test; pulse width ≤ 300µs, duty cycle≤ 2%.
(VDS =-16V,
VGS =-4.5V, ID
=-200mA)
nC
(VDD =-10V, RL
=50Ω,VGEN =-
5V,RG =10Ω,ID
=-200mA)
ns
tf
-
81.2
-
Dynamic
0.48
-
-
0.67
VSD
-
-
-1.2
V
-
-
0.95
-
-
2.2
RDS(ON)
Ω
-
-
-
-
±10
µA
-
-
-1
µA
-20
-
-
V
-0.4
-
-1.2
V
Static
Characteristic
V(BR)DSS
Unit
-
(VDS = -16 V,
VGS = 0 V, f = 1
MHz)
Ciss
-
152
Coss
-
18.5
Crss
-
6
-
-
pF
-
-
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
-
2.8
24.2
Qg
IDSS
IGSS
VGS(th)
Symbol
Min.
-
-
-
-
Typ.
Max.
2.1
-
0.5
-
51.3
-
-
246
-
2018. 06. 21
2/5
Revision No : 0
FTK0404PSOT883


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