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FTK2005DFN23 データシート(PDF) 2 Page - First Silicon Co., Ltd

部品番号. FTK2005DFN23
部品情報  Dual N-Channel MOSFET
ダウンロード  4 Pages
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メーカー  FS [First Silicon Co., Ltd]
ホームページ  http://www.firstsilicon.co.kr/
Logo FS - First Silicon Co., Ltd

FTK2005DFN23 Datasheet(HTML) 2 Page - First Silicon Co., Ltd

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2015.03. 10
2/4
Revision No : 0
Electrical characteristics (Ta=25℃ unless otherwise noted)
FTK2005DFN23
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
STATIC PARAMETERS
Drain-source breakdown voltage
V (BR) DSS
VGS = 0V, ID =250µA
20
V
Zero gate voltage drain current
IDSS
VDS =16V,VGS = 0V
10
µA
Gate-body leakage current
IGSS
VGS =±10V, VDS = 0V
±10
µA
Gate threshold voltage (note 1)
VGS(th)
VDS =VGS, ID =250µA
0.5
1
V
Drain-source on-resistance (note 1)
RDS(on)
VGS =10V, ID =8A
13
mΩ
VGS =4.5V, ID =5A
14
mΩ
VGS =3.8V, ID =5A
15.5
mΩ
VGS =2.5V, ID =4A
19
mΩ
VGS =1.8V, ID =3A
27
mΩ
Forward tranconductance (note 1)
gFS
VDS =5V, ID =8A
36
S
Diode forward voltage(note 1)
VSD
IS=1A, VGS = 0V
1
V
DYNAMIC PARAMETERS (note 2)
Input Capacitance
Ciss
VDS =10V,VGS =0V,f =1MHz
1800
pF
Output Capacitance
Coss
230
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
200
pF
Total gate charge
Qg
VDS =10V,VGS =4.5V,ID =8A
17.9
nC
Gate-source charge
Qgs
1.5
nC
Gate-drain charge
Qgd
4.7
nC
SWITCHING PARAMETERS(note 2)
Turn-on delay time
td(on)
VGS=10V,VDD=10V,
RL=1.2Ω,RGEN=3Ω
2.5
ns
Turn-on rise time
tr
7.2
ns
Turn-off delay time
td(off)
49
ns
Turn-off fall time
tf
10.8
ns
Notes :
1. Pulse Test : Pulse width≤300µs, duty cycle≤0.5%.
2. Guaranteed by design, not subject to production testing.


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