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STN4920 データシート(PDF) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

部品番号 STN4920
部品情報  Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
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メーカー  VBSEMI [VBsemi Electronics Co.,Ltd]
ホームページ  www.VBsemi.cn
Logo VBSEMI - VBsemi Electronics Co.,Ltd

STN4920 データシート(HTML) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

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background image
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Threshold Voltage
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
0.01
0.001
0.1
10
100
TJ = 150 °C
TJ = 25 °C
VSD -Source-to-Drain Voltage (V)
- 1.0
- 0.7
- 0.4
- 0.1
0.2
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
ID = 250 µA
ID =5mA
TJ - Temperature (°C)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
012
345
67
8
910
TJ = 25 °C
ID = 8 A
TJ = 125 °C
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
0
10
20
30
40
50
0
1
1
1
0
0
.
00.01
Time (s)
0.1
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
0.01
100
1
100
0.01
0.1
1ms
10 ms
0.1
1
10
10
TA = 25 °C
Single Pulse
Limited byRDS(on)*
1s
10 s
DC
BVDSS Limited
100 ms
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
* VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified
E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052
www.VBsemi.tw
STN4920
4


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