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STN4920 データシート(PDF) 3 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

部品番号 STN4920
部品情報  Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
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メーカー  VBSEMI [VBsemi Electronics Co.,Ltd]
ホームページ  www.VBsemi.cn
Logo VBSEMI - VBsemi Electronics Co.,Ltd

STN4920 データシート(HTML) 3 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

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TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Output Characteristics
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
Gate Charge
0
8
16
24
32
40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VGS =10 V thru 4 V
VGS =3 V
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
0.010
0.014
0.018
0.022
0.026
0.030
0
10203040
50
VGS =4.5 V
VGS =10 V
ID - Drain Current (A)
0
2
4
6
8
10
0.0
3.2
6.4
9.6
12.8
16
VDS =20 V
VDS =10 V
ID = 8 A
VDS =15 V
Qg - Total Gate Charge (nC)
Transfer Characteristics
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
0
2
4
6
8
10
01
2
3
45
TC = 25 °C
TC = 125 °C
TC = - 55 °C
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
Crss
0
200
400
600
800
1000
06
12
18
24
30
Ciss
Coss
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
ID = 8 A
VGS =4.5 V
VGS =10 V
TJ -Junction Temperature (°C)
E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052
www.VBsemi.tw
STN4920
3


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