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2SD1776A データシート(PDF) 2 Page - Panasonic Semiconductor |
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2SD1776A データシート(HTML) 2 Page - Panasonic Semiconductor |
2 / 3 page 2 Power Transistors 2SD1776, 2SD1776A PC —Ta IC —VCE VCE(sat) —IC VBE(sat) —IC hFE —IC fT —IC ton, tstg, tf — IC Area of safe operation (ASO) 0 150 125 100 25 75 50 0 40 30 10 25 35 20 5 15 (1) T C=Ta (2) With a 100 × 100 × 2mm Al heat sink (3) With a 50 × 50 × 2mm Al heat sink (4) Without heat sink (P C=2W) (1) (2) (3) (4) Ambient temperature Ta (˚C) 012 10 8 26 4 0 1.6 1.2 0.4 1.0 1.4 0.8 0.2 0.6 T C=25˚C I B=3mA 2mA 1mA 0.8mA 0.6mA 0.4mA 0.2mA 0.1mA Collector to emitter voltage V CE (V) 0.01 3 1 0.1 0.03 0.3 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10 I C/IB=40 T C=100˚C 25˚C –25˚C Collector current I C (A) 0.01 3 1 0.1 0.03 0.3 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10 I C/IB=40 25˚C 100˚C T C=–25˚C Collector current I C (A) 0.01 0.1 1 10 0.03 0.3 3 10 30 100 300 1000 3000 10000 30000 100000 T C=100˚C 25˚C –25˚C V CE=4V Collector current I C (A) 0.01 0.1 1 10 0.03 0.3 3 0.1 0.3 1 3 10 30 100 300 1000 V CE=12V f=10MHz T C=25˚C Collector current I C (A) 02.5 2.0 0.5 1.5 1.0 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10 30 100 Pulsed t w=1ms Duty cycle=1% I C/IB=40 (IB1=–IB2) V CC=50V T C=25˚C t stg t f t on Collector current I C (A) 1 10 100 1000 3 30 300 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10 30 100 Non repetitive pulse T C=25˚C I CP I C 10ms DC t=1ms Collector to emitter voltage V CE (V) |
同様の部品番号 - 2SD1776A |
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同様の説明 - 2SD1776A |
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