SM8J48 datasheet(1/5 Pages) TOSHIBA

部品番号	SM8J48

部品情報	AC POWER CONTROL APPLICATIONS

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メーカー	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

ホームページ	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

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SM8(G,J)48,USM8(G,J)48,SM8(G,J)48A,USM8(G,J)48A

2001-07-10

1

TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

SM8G48,USM8G48,SM8J48,USM8J48

SM8G48A,USM8G48A,SM8J48A,USM8J48A

AC POWER CONTROL APPLICATIONS

l Repetitive Peak Off−State Voltage

: VDRM = 400, 600V

l R.M.S On−State Current

: IT (RMS) = 8A

l Gate Trigger Current

: IGT = 30mA Max.

: IGT = 20mA Max. (“A”Type)

Unit: mm

SM8G48, SM8J48, SM8G48A, SM8J48A

USM8G48, USM8J48, USM8G48A, USM8J48A

JEDEC

―

JEDEC

―

JEITA

―

JEITA

―

TOSHIBA

13-10J1A

TOSHIBA

13-10J2A

Weight: 1.7g

MAXIMUM RATINGS

CHARACTERISTIC

SYMBOL

RATING

UNIT

(U)SM8G48

(U)SM8G48A

400

Repetitive Peak

Off-State Voltage

(U)SM8J48

(U)SM8J48A

VDRM

600

V

R.M.S On−State Current

IT (RMS)

8

A

80 (50Hz)

Peak One Cycle Surge On−State

Current (Non-Repetitive)

ITSM

88 (60Hz)

A

I

2

t Limit Value

I

2

t

32

A

2

s

Critical Rate of Rise of On−State

Current

(Note 1)

di / dt

50

A / µs

Peak Gate Power Dissipation

PGM

5

W

Average Gate Power Dissipation

PG (AV)

0.5

W

Peak Forward Gate Voltage

VGM

10

V

Peak Forward Gate Current

IGM

2

A

Junction Temperature

Tj

−40~125

°C

Storage Temperature Range

Tstg

−40~125

°C

Note 1: VDRM = 0.5×Rated

ITM ≤ 12A

tgw ≥ 10µs

tgr ≤ 250ns

igp = IGT×2.0

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