TC55NEM216ASTV70 datasheet(10/12 Pages) TOSHIBA

部品番号	TC55NEM216ASTV70

部品情報	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

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メーカー	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

ホームページ	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

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TC55NEM216ASTV55,70

2002-10-30

10/12

,

CONTROLLED

DATA RETENTION MODE

(See Note 3)

Note:

(1)

In CE controlled data retention mode, minimum standby current mode is entered when CS

≤ 0.2 V or

CS

≥ VDD − 0.2 V.

(2)

When CE is operating at the VIH(min.) level(2.2 V), the operating current is given by IDDS1 during the

transition of VDD from 4.5 to 2.4 V.

(3)

In CS controlled data retention mode, minimum standby current mode is entered when CS

≤ 0.2 V.

(4)

In UB (or LB ) controlled data retention mode, minimum standby current mode is entered when

CE

,CS

≤ 0.2 V or CE ,CS ≥ VDD − 0.2 V.

(5)

When UB (or LB ) is operating at the VIH(min.) level(2.2 V), the operating current is given by IDDS1

during the transition of VDD from 4.5 to 2.4 V.

UB LB

VDD

4.5 V

GND

VIH

DATA RETENTION MODE

tR

(See Note 4)

tCDR

VDD

VDD − 0.2 V

UB , LB

同様の部品番号 - TC55NEM216ASTV70

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Toshiba Semiconductor	TC55NEM216AFTN55	181Kb / 11P	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
Toshiba Semiconductor	TC55NEM216AFTN70	181Kb / 11P	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

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