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LMN400E01-7 データシート(PDF) 2 Page - Diodes Incorporated |
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LMN400E01-7 データシート(HTML) 2 Page - Diodes Incorporated |
2 / 10 page DS30750 Rev. 4 - 2 2 of 10 LMN400E01 www.diodes.com @ TA = 25 °C unless otherwise specified Maximum Ratings: Sub-Component Device: Pre-Biased PNP Transistor (Q1) @ TA = 25 °C unless otherwise specified Characteristic Symbol Value Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Supply Voltage Vcc -50 V Input Voltage Vin +5 to -6 V Output Current IC -400 mA Sub-Component Device: ESD Protected N-Channel MOSFET (Q2) Characteristic Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 60 V Drain Gate Voltage (RGS ≤1MOhm) VDGR 60 V Gate-Source Voltage Continuous VGSS +/-20 V Pulsed (tp<50 uS) +/-40 Drain Current (Page 1: Note 3) Continuous (Vgs = 10V) ID 300 mA Pulsed (tp <10 uS, Duty Cycle <1%) 800 Continuous Source Current IS 300 mA |
同様の部品番号 - LMN400E01-7 |
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同様の説明 - LMN400E01-7 |
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