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STB65E0 データシート(PDF) 3 Page - EIC discrete Semiconductors |
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STB65E0 データシート(HTML) 3 Page - EIC discrete Semiconductors |
3 / 4 page ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Breakdown Voltage @ It W orking Peak Maximum Maximum Maximum Maximum ( Note 1 ) Reverse Reverse Leakage Reverse Clamping Temperature TYPE Voltage @ VRWM Current Voltage @ IRSM Co-efficient VBR (V) It VRWM IR IRSM VRSM of VBR Min. Max. (mA) (V) ( µA) (A) (V) (% / °C) STB6062 55.8 68.2 1.0 50.2 5.0 6.8 89.0 0.104 STB6562 58.9 65.1 1.0 53.0 5.0 7.1 85.0 0.104 STB6068 61.2 74.8 1.0 55.1 5.0 6.1 98.0 0.104 STB6568 64.6 71.4 1.0 58.1 5.0 6.5 92.0 0.104 STB6075 67.5 82.5 1.0 60.7 5.0 5.5 108 0.105 STB6575 71.3 78.8 1.0 64.1 5.0 5.8 103 0.105 STB6082 73.8 90.2 1.0 66.4 5.0 5.1 118 0.105 STB6582 77.9 86.1 1.0 70.1 5.0 5.3 113 0.105 STB6091 81.9 100 1.0 73.7 5.0 4.5 131 0.106 STB6591 86.5 95.5 1.0 77.8 5.0 4.8 125 0.106 STB60B0 90.0 110 1.0 81.0 5.0 4.2 144 0.106 STB65B0 95.0 105 1.0 85.5 5.0 4.4 137 0.106 STB60B1 99.0 121 1.0 89.2 5.0 3.8 158 0.107 STB65B1 105 116 1.0 94.0 5.0 4.0 152 0.107 STB60B2 108 132 1.0 97.2 5.0 3.5 173 0.107 STB65B2 114 126 1.0 102 5.0 3.6 165 0.107 STB60B3 117 143 1.0 106 5.0 3.2 187 0.107 STB65B3 124 137 1.0 111 5.0 3.3 179 0.107 STB60B5 135 165 1.0 121 5.0 2.8 215 0.108 STB65B5 143 158 1.0 128 5.0 2.9 207 0.108 STB60B6 144 176 1.0 130 5.0 2.6 230 0.108 STB65B6 152 168 1.0 136 5.0 2.7 219 0.108 STB60B7 153 187 1.0 138 5.0 2.5 244 0.108 STB65B7 162 179 1.0 145 5.0 2.6 234 0.108 STB60B8 162 198 1.0 146 5.0 2.3 258 0.108 STB65B8 171 189 1.0 154 5.0 2.4 246 0.108 STB60D0 180 220 1.0 162 5.0 2.1 287 0.108 STB65D0 190 210 1.0 171 5.0 2.2 274 0.108 STB60D2 198 242 1.0 175 5.0 1.75 344 0.108 STB65D2 209 231 1.0 185 5.0 1.83 328 0.108 STB60D5 225 275 1.0 202 5.0 1.67 360 0.110 STB65D5 237 263 1.0 214 5.0 1.75 344 0.110 STB60E0 270 330 1.0 243 5.0 1.40 430 0.110 STB65E0 285 315 1.0 256 5.0 1.45 414 0.110 STB60E5 315 385 1.0 284 5.0 1.20 504 0.110 STB65E5 332 368 1.0 300 5.0 1.25 482 0.110 STB60G0 360 440 1.0 324 5.0 1.05 574 0.110 STB65G0 380 420 1.0 342 5.0 1.10 548 0.110 STB60G4 396 484 1.0 356 5.0 0.95 631 0.110 STB65G4 418 462 1.0 376 5.0 1.00 602 0.110 Note: ( 1 ) VBR measured after It applied for 300 µs., It = square wave pulse or equivalent. ( 2 ) "STB" will be omitted in marking on the diode. Page 3 of 4 Rev. 03 : March 25, 2005 |
同様の部品番号 - STB65E0 |
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同様の説明 - STB65E0 |
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