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TSHF5210 データシート(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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TSHF5210 データシート(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 6 page TSHF5210 Document Number 81313 Rev. 1.1, 30-Oct-06 Vishay Semiconductors www.vishay.com 3 Typical Characteristics Tamb = 25 °C unless otherwise specified Figure 3. Pulse Forward Current vs. Pulse Duration Figure 4. Forward Current vs. Forward Voltage Figure 5. Radiant Intensity vs. Forward Current 100 1000 0.01 0.1 1.0 10 100 t P - Pulse Duration (ms) 16031 t P/T = 0.01 0.05 0.2 0.5 0.1 0.02 T amb < 50° 18873 1000 100 10 1 V F - Forward Voltage (V) 02 4 t P = 100 µs t P/T = 0.001 13 0.1 1.0 10.0 100.0 1000.0 1 10 100 1000 18220 I F - Forward Current (mA) Figure 6. Radiant Power vs. Forward Current Figure 7. Relative Radiant Power vs. Wavelength Figure 8. Relative Radiant Intensity vs. Angular Displacement 0.1 1.0 10.0 100.0 1000.0 110 100 1000 16971 IF - Forward Current (mA) 800 900 λ - Wavelength (nm) 1000 20082 0 0.25 0.5 0.75 1.0 1.25 0.4 0.2 0 0.2 0.4 0.6 15989 0.6 0.9 0.8 0° 30° 10° 20° 40° 50° 60° 70° 80° 0.7 1.0 |
同様の部品番号 - TSHF5210 |
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同様の説明 - TSHF5210 |
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