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MGF0911A データシート(PDF) 2 Page - Mitsubishi Electric Semiconductor

部品番号 MGF0911A
部品情報  L, S BAND POWER GaAs FET
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メーカー  MITSUBISHI [Mitsubishi Electric Semiconductor]
ホームページ  http://www.mitsubishichips.com
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MGF0911A データシート(HTML) 2 Page - Mitsubishi Electric Semiconductor

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MGF0911A
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR
〈GaAs FET〉
L, S BAND POWER GaAs FET
Nov. ´97
ID vs. VDS
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS(V)
0
2
5
0
4
8
VGS=-0.5V/Step
Ta=25˚C
TYPICAL CHARACTERISTICS
ID vs. VGS
GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS(V)
-3
-2
0
4
8
12
0
VDS=3V
Ta=25˚C
1
3
4
12
-1
6
VGS=0V
PO &
ηadd vs. Pin
(f=2.3GHz)
INPUT POWER Pin(dBm)
0
35
25
25
35
VDS=10V
ID=2.6A
45
50
40
30
20
10
ηadd
0
Gp=11 10 9 dB
PO
GLP,P1dB, ID and
ηadd vs. VDS
(f=2.3GHz)
VDS(V)
6
39
8
20
10
ID=2.6A
13
ηadd
P1dB
12
11
10
41
37
40
GLP
20
30
30
40


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