STC03DE220HV datasheet(4/8 Pages) STMICROELECTRONICS

部品番号	STC03DE220HV

部品情報	Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 2200V - 3A - 0.33OHM

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メーカー	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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Electrical characteristics

STC03DE220HV

4/8

2

Electrical characteristics

(Tcase = 25°C unless otherwise specified)

Table 4.

Electrical characteristics

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ. Max. Unit

ICS(SS)

Collector-source current

(VBS =VGS =0V)

VCS(SS) =2200V

100

µA

IBS(OS)

Base-source current

(IC =0, VGS =0V)

VBS(OS) =30V

10

µA

ISB(OS)

Source-base current

(IC =0, VGS =0V)

VSB(OS) =9V

100

µA

IGS(OS)

Gate-source leakage

(VBS =0V)

VGS = ± 20V

500

nA

VCS(ON)

Collector-source ON

voltage

VGS =10V IC =3A IB =0.3A

VGS =10V IC =6A IB =1.2A

1

V

hFE

DC current gain

VCS =1V

VGS =10V IC =3A

VCS =1V VGS =10V IC =6A

10

5

VBS(ON)

Base-source ON

voltage

VGS =10V IC =3A IB =0.3A

VGS =10V IC =6A IB =1.2A

0.9

1.2

V

VGS(th)

Gate threshold voltage

VBS =VGS IB =250µA

1.5

2.2

3

V

Ciss

Input capacitance

VCS =25V f =1MHz

VGS=VCB=0V

750

pF

QGS(tot)

Gate-source Charge

VCS=15V

VGS=10V

VCB=0V

IC =1.8A

12.5

nC

ts

tf

INDUCTIVE LOAD

Storage time

Fall time

VGS =10V

RG =47Ω

VClamp =1760V

tp =4µs

IC =1.5A

IB =0.3A

1040

20

ns

VCS(dyn)

Collector-source

dynamic voltage

(500ns)

VCC =VClamp =400V

VGS =10V

IC =1.5A

IB = 0.3A

RG =47Ω

tpeak =500ns

IBpeak =3A

7.6

V

VCS(dyn)

Collector-source

dynamic voltage

(1

µs)

VCC =VClamp =400V

VGS =10V

IC =1.5A

IB = 0.3A

RG =47Ω

tpeak =500ns

IBpeak =3A

5.8

V

VCSW

Maximum collector-

source voltage switched

without snubber

RG =47Ω

hFE =5

IC = 3A

2200

V

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
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