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STD60NH03L データシート(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
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STD60NH03L データシート(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 16 page STD60NH03L - STD60NH03L-1 Electrical characteristics 5/16 Table 5. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current Source-drain current (pulsed) 60 240 A A VSD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % Forward on voltage ISD = 30A, VGS = 0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 60A, di/dt = 100A/µs, VDD = 20V, Tj = 150°C (see Figure 15) 32 51 3.2 ns nC A |
同様の部品番号 - STD60NH03L_06 |
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同様の説明 - STD60NH03L_06 |
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