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BAS16VY データシート(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
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6 / 12 page BAS16VV_BAS16VY_3 © NXP B.V. 2007. All rights reserved. Product data sheet Rev. 03 — 20 April 2007 6 of 12 NXP Semiconductors BAS16VV; BAS16VY Triple high-speed switching diodes 8. Test information (1) IR =1mA Input signal: reverse pulse rise time tr = 0.6 ns; reverse voltage pulse duration tp = 100 ns; duty cycle δ = 0.05 Oscilloscope: rise time tr = 0.35 ns Fig 5. Reverse recovery time test circuit and waveforms Input signal: forward pulse rise time tr = 20 ns; forward current pulse duration tp ≥ 100 ns; duty cycle δ≤ 0.005 Fig 6. Forward recovery voltage test circuit and waveforms trr (1) + IF t output signal tr tp t 10 % 90 % VR input signal V = VR + IF × RS RS = 50 Ω IF D.U.T. Ri = 50 Ω SAMPLING OSCILLOSCOPE mga881 tr t tp 10 % 90 % I input signal RS = 50 Ω I Ri = 50 Ω OSCILLOSCOPE 1 k Ω 450 Ω D.U.T. mga882 VFR t output signal V |
同様の部品番号 - BAS16VY |
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同様の説明 - BAS16VY |
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