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2SJ567 データシート(PDF) 5 Page - Toshiba Semiconductor |
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5 / 6 page 2SJ567 2006-11-16 5 Pulse width tw (S) rth – tw Drain-source voltage VDS (V) Safe operating area 0.001 10 μ 100 μ 1 m 10 m 100 m 1 10 100 0.003 0.005 0.01 0.03 0.05 0.1 0.3 0.5 1 3 T PDM t Duty = t/T Rth (ch-c) = 6.25°C/W Duty = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 Single pulse ID max (pulse) * DC operation 100 μs* 1 ms* VDSS max −0.005 −0.1 −0.3 −1 −3 −10 −30 −100 −300 −0.01 −0.03 −0.05 −0.1 −0.3 −0.5 −1 −3 −5 −10 −30 * Single nonrepetitive pulse Tc = 25°C Curves must be derated linearly with increase in temperature. Channel temperature Tch (°C) EAS – Tch 0 25 20 40 60 100 80 50 75 100 125 150 −15 V 15 V Test circuit Waveform IAR BVDSS VDD VDS RG = 25 Ω VDD = −50 V, L = 25.2 mH ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ − ⋅ ⋅ ⋅ = VDD BVDSS BVDSS 2 I L 2 1 ΕAS |
同様の部品番号 - 2SJ567_06 |
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同様の説明 - 2SJ567_06 |
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