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SMBYW04-200 データシート(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
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SMBYW04-200 データシート(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 6 page 1E-3 1E-2 1E-1 1E+0 0.1 0.2 0.5 1.0 Zth(j-c)/Rth(j-c) T δ=tp/T tp δ = 0.1 δ = 0.2 δ = 0.5 Single pulse tp(s) Fig. 6-2: Variation of thermal impedance junction to case versus pulse duration (BYW4200B). 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.1 1.0 10.0 70.0 IFM(A) Tj=25°C Tj=100°C (Typical values) Tj=100°C VFM(V) Fig. 4: Forward voltage drop versus forward current (maximum values). 1E-3 1E-2 1E-1 1E+0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 IM(A) Tc=125°C Tc=75°C IM t δ=0.5 t(s) Fig. 5-2: Non repetitive surge peak forward current versus overload duration (BYW4200B). 1E-2 1E-1 1E+0 1E+1 1E+2 5E+2 0.01 0.10 1.00 Zth(j-a)/Rth(j-a) T δ=tp/T tp δ = 0.1 δ = 0.2 δ = 0.5 Single pulse tp(s) Fig. 6-1: Variation of thermal impedance junction to ambient versus pulse duration (recommended pad layout, epoxy FR4, e(Cu)=35 µm) (SMBYW04-200). 0 25 50 75 100 125 150 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 IF(av)(A) Rth(j-a)=75°C/W Rth(j-a)=Rth(j-l) DPAK Rth(j-a)=Rth(j-c) SMC Tamb(°C) T δ=tp/T tp Fig. 3: Average forward current versus ambient temperature ( δ=0.5). 1E-3 1E-2 1E-1 1E+0 2 4 6 8 10 12 IM(A) Ta=25°C Ta=50°C IM t δ=0.5 t(s) Fig. 5-1: Non repetitive surge peak forward current versus overload duration (SMBYW04-200). SMBYW04-200 / BYW4200B 3/6 |
同様の部品番号 - SMBYW04-200 |
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同様の説明 - SMBYW04-200 |
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