2SD1209K datasheet(2/6 Pages) RENESAS

部品番号	2SD1209K

部品情報	Silicon NPN Epitaxial, Darlington

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メーカー	RENESAS [Renesas Technology Corp]

ホームページ	http://www.renesas.com

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2SD1209(K)

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test conditions

Collector to base breakdown voltage

V(BR)CBO

60

—

V

IC = 0.1 mA, IE = 0

Collector cutoff current

ICEO

—

100

µA

VCE = 60 V, RBE =

∞

Emitter cutoff current

IEBO

—

100

µA

VEB = 7 V, IC = 0

DC current transfer ratio

hFE

4000

—

VCE = 3 V, IC = 0.5 A*

1

Collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)

—

1.5

V

IC = 500 mA, IB = 0.5 mA*

1

Base to emitter saturation voltage

VBE(sat)

—

2.0

V

IC = 500 mA, IB = 0.5 mA*

1

Note:

1. Pulse test

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Hitachi Semiconductor	2SD1209K	31Kb / 6P	Silicon NPN Epitaxial, Darlington

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Hitachi Semiconductor	2SD1209	31Kb / 6P	Silicon NPN Epitaxial, Darlington
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	2SD1470	32Kb / 6P	Silicon NPN Epitaxial, Darlington
	2SD1978	32Kb / 6P	Silicon NPN Epitaxial, Darlington
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	2SD2423	34Kb / 6P	Silicon NPN Epitaxial, Darlington
	2SC3957	33Kb / 6P	Silicon NPN Epitaxial, Darlington
Renesas Technology Corp	2SD1978	159Kb / 6P	Silicon NPN Epitaxial, Darlington
Renesas Technology Corp	2SD1472	127Kb / 8P	Silicon NPN Epitaxial, Darlington
Hitachi Semiconductor	2SD2046	32Kb / 6P	Silicon NPN Epitaxial, Darlington