データシートサーチシステム |
|
SI5513CDC データシート(PDF) 5 Page - Vishay Siliconix |
|
SI5513CDC データシート(HTML) 5 Page - Vishay Siliconix |
5 / 12 page Document Number: 68806 S-82490-Rev. B, 13-Oct-08 www.vishay.com 5 Vishay Siliconix Si5513CDC N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.1 1 10 100 0.0 0.20.4 0.60.8 1.0 1.2 TJ = 150 °C VSD -Source-to-Drain Voltage (V) TJ = 25 °C 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0246 8 10 12 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TJ = 25 °C TJ = 125 °C ID =4.4 A 0 5 10 15 20 25 30 10-4 10-3 10-2 10-1 110 Time (s) Safe Operating Area, Junction-to-Ambient VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified 100 1 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 TA = 25 °C Single Pulse 100 ms 1s,10s DC Limited byRDS(on)* BVDSS Limited 1ms 100 µs 10 ms |
同様の部品番号 - SI5513CDC |
|
同様の説明 - SI5513CDC |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |