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2SC4265 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC4265 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 4 page INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor 2SC4265 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 10μA ; IE= 0 30 V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 1mA ; RBE= ∞ 20 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 15V; IE= 0 0.5 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 3V; IC= 0 10 μA VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 20mA ; IB= 4mA 1.0 V hFE DC Current Gain IC= 10mA ; VCE= 10V 40 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 10mA ; VCE= 10V 600 MHz COB Output Capacitance IE= 0 ; VCB= 10V;f= 1.0MHz 1.5 pF isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
同様の部品番号 - 2SC4265 |
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同様の説明 - 2SC4265 |
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