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2N3233 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2N3233 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2N3233 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=30mA ;IB=0 100 V VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.5A 1.0 V VBE(on) Base-emitter on voltage IC=3A ; VCE=4V 1.5 V ICEO Collector cut-off current VCE=50V; IB=0 0.7 mA ICBO Collector cut-off current VCB=110V; IE=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=7V; IC=0 0.1 mA hFE DC current gain IC=5A ; VCE=10V 18 55 |
同様の部品番号 - 2N3233 |
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同様の説明 - 2N3233 |
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